Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Esempi/Dispositivi MOS e CMOS: differenze tra le versioni

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In dettaglio, i passi di realizzazione sono mostrati nella figura seguente:
 
[[File:processodireal.jpg|center]]
 
===Integrazione del transistor MOS===
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*Dato il semplice schema per un transistor MOS, non è possibile integrare due dispositivi mettendoli semplicemente l’uno accanto all’altro, come mostrato in fig. 88 a). Infatti drain del transistor di sinistra e source del transistor di destra formano un ulteriore transistor, spurio, in cui il gate è dato dai fili di interconnessione sovrastanti.
*Lo schema b) risolve il problema: processo '''LOCOS''' (LOCal Oxidation of Silicon)
 
[[File:2transistorr.jpg|300px|left]]
#uno strato di ossido spesso (field oxide) separa i vari transistor
#per realizzarlo, si ossida il Si localmente attraverso una maschera di nitruro di Silicio (Si3N4)
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===Transistor CMOS===
 
[[File:CMOS.jpg|300px|left]]
*Due tipi di transistor (N-MOS e P-MOS) in serie nello stesso dispositivo
*Questo impedisce che scorra corrente nel dispositivo in condizioni statiche, perché uno dei due transistor è sempre polarizzato inversamente; solo quando vi è uno switch, c'è anche una piccola corrente dinamica