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Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica: shadow mask, tilted evaporation: differenze tra le versioni

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Nella '''litografia a fascio di elettroni''', la diffrazione non è una limitazione sulla risoluzione in quanto la lunghezza d’onda è inferiore a 1 Å per un fascio di elettroni accelerati a 10-50 keV. Quindi la lunghezza d’ onda è inferiore alla distanza atomica e non ci sono problemi di diffrazione.
 
La risoluzione comunque dipende dallo scattering degli elettroni, e dalla sezione del fascio di elettroni che oggi ha raggiunto il valore di circa 5nm. Descriviamo due modi di operare:
* Scrittura diretta con un fascio stretto: un fascio di elettroni molto stretto disegna punto per punto quello che mi interessa realizzare. Tale modo di operare risulta però troppo lento quindi nei processi tecnologici, avendo l’ esigenza di processare più pezzi per volta, questa tecnica non viene utilizzata perché risulta essere troppo costosa.
* Litografia elettronica a proiezione utilizzando una maschera (EPL): Si fanno fasci più grandi e si va a stringere il fascio con delle maschere adatte. Questa è una tecnica molto complicata che potrebbe riguardare il futuro della litografia. Comunque gli stepper che proiettano ancora non esistono e le maschere sono complicate da realizzare.
 
==Schema della litografia elettronica==
 
[[File:Litografia elettronica.jpg|500px]]
 
Il principale problema della litografia elettronica risulta essere quello dello ''Back-Scattering'' ossia gli elettroni, quando colpiscono il resist, scatterano da tutte le parti e non vengono illuminate solo parti che andrebbero illuminate, ma delle zone più ampie. Di seguito si illustra il fenomeno dello Back-Scattering:
 
[[File:Back-Scattering.jpg|400px]]
 
Un altro problema riguarda anche le macchine per realizzare il vuoto. Infatti si deve operare in alto vuoto e le macchine che lo realizzano, sono molto costose.
 
==Vantaggi e svantaggi==
*Vantaggi: tramite la litografia elettronica è possibile fare in modo facile delle strutture molto piccole, le operazioni sono automatizzate, il controllo è molto preciso, c' è la possibilità di fare disegni diretti senza utilizzare le maschere e si hanno elevate profondità di campo.
*Svantaggi: la litografia elettronica è molto lenta e per questo motivo viene utilizzata principalmente per la realizzazione di maschere.
 
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Litografia elettronica: shadow mask, tilted evaporation]]
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