Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

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Dove, <math>\,k_2</math> è un altro coefficiente adimensionale legato al processo. La profondità di fuoco pone delle restrizioni sullo spessore del photoresist e la profondità della topografia sul wafer. La tecnica di Chemical mechanical polishing descritta nel seguito è spesso usata per spianare la topografia prima di passaggi ad alta risoluzione di litografia.
 
Maggiore è NA, maggiore sarà la risoluzione perchèperché maggiore è il passo reticolare (pitch) risolvibile. La risoluzione può essere migliorata sia riducendo la lunghezza d’onda che aumentando NA. Inoltre il DF peggiora peggiora molto più rapidamente aumentando NA che diminuendo <math>\lambda</math>.
 
Si cerca quindi di ottimizzare la sorgente di luce piuttosto che NA. Questo fatto spiega la tendenza della litografia ottica verso l’uso di lunghezze d’onda sempre più piccole.