Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni

I reattori per deposizione chimica assistita da ''plasma'' ('''PECVD''') hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perchèperché possono processare solamente una fetta per volta.

Il polisilicio viene utilizzato principalmente come elettrodo di gate nei dispositivi MOS. Infatti il polisilicio risulta essere più affidabile di qualsiasi altro metallo perchèperché il legame del polisicio con l' ossido di silicio è più stabile con la temperatura. Dunque sul gateox si deposita uno strato di polisilicio piuttosto che un metallo quale ad esempio alluminio o tungsteno.

:I reattori per deposizione chimica assistita da plasma (PECVD) hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perchèperché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche montate in serie (dry pump e booster pump), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. Questi reattori sono costituiti da una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400°C.