Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica: shadow mask, tilted evaporation: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
m fix |
|||
Riga 1:
{{Micro e nanotecnologia}}
Nella '''litografia a fascio di elettroni''', la diffrazione non è una limitazione sulla risoluzione in quanto la lunghezza
La risoluzione comunque dipende dallo scattering degli elettroni, e dalla sezione del fascio di elettroni che oggi ha raggiunto il valore di circa 5nm. Descriviamo due modi di operare:
Riga 8:
==Schema della litografia elettronica==
[[File:Litografia elettronica.jpg|500px]]
Il principale problema della litografia elettronica risulta essere quello dello ''Back-Scattering'' ossia gli elettroni, quando colpiscono il resist, scatterano da tutte le parti e non vengono illuminate solo parti che andrebbero illuminate, ma delle zone più ampie. Di seguito si illustra il fenomeno dello Back-Scattering:
[[File:Back-Scattering.jpg
Un altro problema riguarda anche le macchine per realizzare il vuoto. Infatti si deve operare in alto vuoto e le macchine che lo realizzano, sono molto costose.
| |||