Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Esempi/Dispositivi MOS e CMOS: differenze tra le versioni

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{{Micro e nanotecnologia}}
==Transistor MOS==
[[File:MOS.jpg|thumb|400px|left|Schema di un MOS]]
*Si parte da un substrato di Si drogato di tipo n (come in figura)
*Le regioni di ''source'' e ''drain'' sono drogate differentemente dal substrato, quindi di tipo p
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*Il canale fra source e drain è normalmente chiuso, si apre quando la tensione di gate realizza un'inversione nel tipo di conduzione del substrato (qui, da n a p)
 
 
[[File:MOS.jpg|center]]
 
In dettaglio, i passi di realizzazione sono mostrati nella figura seguente:
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*Dato il semplice schema per un transistor MOS, non è possibile integrare due dispositivi mettendoli semplicemente l’uno accanto all’altro, come mostrato in fig. 88 a). Infatti drain del transistor di sinistra e source del transistor di destra formano un ulteriore transistor, spurio, in cui il gate è dato dai fili di interconnessione sovrastanti.
*Lo schema b) risolve il problema: processo '''LOCOS''' (LOCal Oxidation of Silicon)
[[File:2transistorr.jpg|300px|left]]
#uno strato di ossido spesso (field oxide) separa i vari transistor
#per realizzarlo, si ossida il Si localmente attraverso una maschera di nitruro di Silicio (Si3N4)
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*In realtà, il processo LOCOS è più complesso e comprende la deposizione di altri strati fra silicio e nitruro, prima dell’ossidazione, per risolvere problemi di stress.
 
[[File:2transistorr.jpg]]
 
===Transistor CMOS===
[[File:MOSCMOS.jpg|center300px|left]]
 
*Due tipi di transistor (N-MOS e P-MOS) in serie nello stesso dispositivo
*Questo impedisce che scorra corrente nel dispositivo in condizioni statiche, perchè uno dei due transistor è sempre polarizzato inversamente; solo quando vi è uno switch, c'è anche una piccola corrente dinamica
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*In questa zona, detta "well", si costruisce il secondo transistor(nell'esempio n-channel MOS)
 
[[File:CMOS.jpg]]
 
[[File:CMOS.jpg]]
 
 
 
 
 
 
 
 
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