Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Reactive Ion Etching (RIE): differenze tra le versioni

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La tecnica del '''RIE''' (Reactive Ion Etching) si basa sulla combinazione dell'attacco chimico e dell'attacco fisico.
La '''RIE''' è una tecnologia di etching usata per l'incisione in processi di microfabbricazione. Essa si basa sull'utilizzo di un plasma che presenta caratteristiche chimico reattive, al fine di rimuovere il materiale depositato sul wafer.
Il plasma viene generato a bassa pressione (in una camera da vuoto), attraverso un campo elettromagnetico; gli ioni ad alta energia provenienti dal plasma attaccano la superficie del wafer, reagendo con essa.
 
Un tipico sistema RIE, è constituito da una camera a vuoto cilindrica all'interno della quale, nella parte inferiore, è posizionato il wafer. Il plasma viene ottenuto nel sistema mediante l'applicazione di un forte campo elettromagnetico a RF (radio frequenza).
La frequenza del campo è in genere quella caratteristica di 13,56 megahertz, con una potenza di poche centinaia di watt. Il campo elettrico oscillante ionizza le molecole del gas strappando da esso elettroni, creando appunto il plasma.
Ad ogni ciclo del campo, gli elettroni vengono accelerati, muovendosi su e giù nella camera; gli elettroni, muovendosi, colpiscono sia le pareti superiore della camera che il wafer presente.
 
Il bombardamento ionico innalza o promuove la reazione tra le specie attive(radicali neutri) e il materiale da rimuovere. I prodotti della rimozione dovuti alla dissociazione delle specie gassose portano alla formazione di specie volatili o parzialmente volatili; queste ultime si ridepositano sulle pareti determinandone la formazione di un film inibitore che funge da barriera protettiva contro le specie attive(radicali neutri) e ne impediscono l'azione di rimozione.