Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Esempi/Dispositivi MOS e CMOS: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Nessun oggetto della modifica |
Nessun oggetto della modifica |
||
Riga 25:
[[File:2transistorr.jpg]]
===Transistor CMOS===
*Due tipi di transistor (N-MOS e P-MOS) in serie nello stesso dispositivo
*Questo impedisce che scorra corrente nel dispositivo in condizioni statiche, perchè uno dei due transistor è sempre polarizzato inversamente; solo quando vi è uno switch, c'è anche una piccola corrente dinamica
*Si modifica il substrato(tipo n nel disegno) inserendo una regione drogata di segno opposto e di spessore sufficientemente elevato
*In questa zona, detta "well", si costruisce il secondo transistor(nell'esempio n-channel MOS)
[[File:CMOS.jpg]]
| |||