Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Esempi/Dispositivi MOS e CMOS: differenze tra le versioni
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===Integrazione del transistor MOS===
*Dato il semplice schema
*Lo schema b) risolve il problema: processo '''LOCOS''' (LOCal Oxidation of Silicon)
#uno strato di ossido spesso (field oxide) separa i vari transistor
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*In realtà, il processo LOCOS è più complesso e comprende la deposizione di altri strati fra silicio e nitruro, prima dell’ossidazione, per risolvere problemi di stress.
[[File:2trans.jpg]]
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