Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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La '''fotolitografia ottica''' è un processo usato per rimuovere selettivamente parti di un film sottile o parti del substrato. Viene usata luce per trasferire un disegno geometrico da una foto-maschera
Successivi trattamenti chimici o fisici modellano il disegno esposto sul materiale sotto il ''resist''. In un ciclo completo per circuiti integrati un fetta (''wafer'') (nella maggior parte dei casi di [[w:Silicio|silicio]] subisce fino a 50 volte i processi fotolitografici.
La fotolitografia ha molte similitudini con la fotografia analogica, infatti il ''photoresist'' è molto simile alle sostanze fotosensibili usate nelle pellicole fotografiche. La differenza sostanziale è che mentre la fotografia tradizionale difficilmente necessita di una precisione dei dettagli minore di qualche decina di <math>\mu m\ </math>, la fotolitografia necessita di una risoluzione molto maggiore.
Il processo fotolitografico prevede molte fasi, alcune specifiche
==Passi del processo di fotolitografia==
# La superficie del wafer viene riscaldata in maniera che il vapor acqueo che è presente sulla superficie possa evaporare. Tale stadio spesso è seguito da una preparazione (non indicato nella figura schematica), che consiste nella ricopertura della superficie di un materiale idrofobico chiamato ''primer'' che aumenta l'adesione tra strato inferiore e resist.
# Una piccola quantità di resist (un [[w:Polimero|polimero]] o un suo precursore) viene depositato sul wafer. Mettendo il wafer in rotazione se ne ottiene la totale copertura con ottima uniformità (tranne i bordi), grazie alla elevata viscosità del resist.
# Il processo successivo consiste nella evaporazione dei solventi ponendo il wafer per un tempo di circa 5' su un piatto riscaldato (''hotplate'') a temperatura controllata. Questo processo viene chiamato preriscaldamento (''prebaking'')
# Viene allineato il wafer al reticolo disegnato precedentemente (una maschera di quarzo con incisioni di cromo) ed
# Spesso si effettua un altro riscaldamento a temperatura maggiore del primo (''postbake'') per migliorare l' adesione del resist, per fare avvenire delle reazioni chimiche nel resist o per eliminare le onde stazionarie provocate dai fenomeni di interferenza.
# Il resist viene sviluppato o mediante immersione in una soluzione opportuna o spruzzando lo sviluppo in processo simile alla deposizione del resist.
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[[File:Step Fotolitografia.jpg|thumb|510px|left|Passi del processo di fotolitografia]]
Se il controllo da esito positivo la fetta (''wafer'') può
=== Pulizia ===
Nel caso in cui contaminanti siano presenti sulla superfice del wafer essi vengono
Questo tipo di pulizia è applicabile in genere solo come primo step su wafer di silicio. In quanto
la soluzione è fortemente corrosiva e facilmente danneggerrebbe la maggior parte delle strutture dei materiali utilizzati nei processi successivi
Un risciacquo successivo in acqua deionizzata è il passo successivo. L'acqua deionizzata significa acqua con elevata resistività e quindi con una presenza trascurabile di ioni. L'acqua deionizzata viene utilizzata in molte fasi dei processi di microtecnologia ed in genere per evitare contaminazioni viene prodotta in loco, un apparecchio di deionizzazione dell'acqua è in genere presente in tutte le camere pulite usate per microtecnologie.
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