Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il vuoto/Le leggi del vuoto: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
cambio avanzamento a 100% |
|||
Riga 51:
Per entrare più in dettaglio per quanto riguarda il degassamento possiamo dire che durante i processi tecnologici il materiale trattato viene esposto a diversi processi e viene bombardato da particelle (ad esempio Argon). Se l' energia di legame è molto bassa vuol dire che il legame non è troppo forte e quindi il materiale che stiamo trattando può, dopo un certo tempo t, rilasciare una molecola andando ad alterare il vuoto presente nella camera. Questo appena descritto è il fenomeno di adsorbimento. Un altro fenomeno molto importante è l' assorbimento ossia ci sono alcuni gas come He, idrogeno che sono molto leggeri e possono entrare nella struttura solida di una sostanza. Ad esempio il metallo può assorbire questi gas leggeri. Se la struttura della camera da vuoto fosse fatta di metallo allora il metallo, avendo assorbito questi gas leggeri, dopo un certo tempo t riemette i gas che ha assorbito. Il degassamento è una delle maggiori cause di "inquinamento" di una camera da vuoto.
Se infine nel sistema da vuoto vi sono perdite verso la pressione esterna, tali perdite rappresentano una ulteriore componente del carico che deve essere aspirato dal sistema per mantenerlo sotto vuoto. La localizzazione di eventuali perdite verso l'esterno è un problema importante negli impianti da vuoto esistono degli strumenti opportuni chiamati cercafughe (in inglese ''leak detectors'') che utilizzano la combinazione della [[w:Spettrometria_di_massa|spettrometria di massa]] e un gas raro nell'atmosfera, ma con elevata permeabilità, quali l'[[w:Elio|Elio]].
=== Composizione del vuoto ===
L’aria escludendo l’acqua ha una composizione per il 78% di azoto (
:<math>pV=nRT\ </math>
Riga 97:
Il gas è in regime turbolento (in quanto il [[w:Numero_di_Reynolds|numero di Reynolds]] è grande). In tale regime non esiste una formula semplice per calcolare la conduttanza, la quale è in ogni caso grande a causa della pressione media elevata. In tale situazione la conduttanza non rappresenta una limitazione reale al trasporto di materia.
In condizioni di medio vuoto, quindi per carichi inferiori e in [[w:Regime_laminare|regime laminare]], la conduttanza deriva dalla cosidetta [[w:/Legge_di_Poiseuille|legge di Poiseuille]].
{{equazione|eq=<math>C_L=1.4\cdot 10^{3} \frac {D^4}L\left( \frac {p_1+p_2}2 \right)\ m^3/s\qquad L\gg D</math>|id=6}}
Si noti come si sia usato il Sistema Internazionale.
La conduttanza è tanto maggiore quindi quanto maggiore è la pressione media nel condotto. Si noti come la conduttanza non dipenda dal tipo di gas presente, in quanto essendo piccolo il numero di Knudsen gli urti tra molecola e molecola siano prevalenti. La viscosità del gas gioca un ruolo importante.
Il moto delle molecole è prevalentemente lungo il condotto e quindi il controflusso che è presente in regime molecolare è di fatto trascurabile. In realtà la legge di Poiseuille dipende dalla viscosità, che dipende dal gas presente, quindi la formula è approssimata.
Line 157 ⟶ 154:
{{equazione|eq=<math>Q=S_eP+V\frac {dP}{dt} </math>|id=10}}
Da tale equazione si ricava che il vuoto limite in condizioni stazionarie <math>dP/dt=0\ </math> vale <math>P_l=Q/S_e\ </math>, che viene raggiunto in maniera asintotica con una costante di tempo pari a <math>V/S_e\ </math>. Tale ragionamento è molto grossolano in quanto considera <math>S_e\ </math> costante, mentre come si è detto essa è una funzione
[[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Introduzione_alla_microtecnologia |ultimo argomento capitolo precedente]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_vuoto/Pompe_da_vuoto | avanti]]
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Le leggi del vuoto]]
{{Avanzamento|
|