Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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:* Bassa densità
:* Peggiore struttura stechiometrica
==Effetto delle impurità==
Nel gas ossidante e nel silicio possono essere presenti impurità di diverso tipo, le principali sono acqua e cloro per l'ossidante, boro e fosforo per il silicio.
L'acqua nel processo wet è usata come ossidante ma può essere presente in piccole quantità anche nel processo dry dove viene considerata un'impurità. In questo processo la presenza di molecole di acqua accelera l'ossidazione per questo ne viene ridotta al minimo la presenza tramite camere di precombustione.
Il cloro (sotto forma di acido cloridrico HCl) viene volutamente inserito nel forno dove avviene la reazione perché apporta diversi vantaggi: migliora le caratteristiche dell'interfaccia <math>\mathrm {Si-SiO_2}\;</math> eliminando impurità e aumenta la rigidità dielettrica. Inoltre aumenta la velocità di ossidazione.
Anche il boro e il fosforo, usati come droganti per il silicio, velocizzano il processo di ossidazione. Il boro segrega nell'ossidante rendendo la struttura amorfa più porosa e favorendo il passaggio di ossidante nell'ossido già formato per formare altro ossido. Al contrario del boro il fosforo segrega nel silicio il che porta, per concentrazioni elevate di fosforo, alla formazione di scalini tra le zone più drogate (dove la velocità di accrescimento è elevata) e le zone non drogate (dove la velocità di formazione dell'ossido è minore).
==Deposizione di ossidi con tecnica CVD==
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Si tratta sempre di ossidi di silicio che però svolgono ruoli diversi.
Il drogaggio a base di boro e fosforo del BPSG ne abbassa la temperatura di fusione. Questo ossido quindi, risulterà particolarmente adatto per fluire nelle cavità di quelle zone che presentano un'alta densità di dispositivi. Infatti per quelle zone che presentano un' alta densità di dispositivi il BPSG viene fatto refluire ad alta temperatura in modo da riempire bene gli spazi interstiziali. L'entità del drogaggio è molto importante, infatti, un drogaggio basso potrebbe portare alla formazione di vuoti (void, buchi)
Per quanto riguarda ILD esso viene posto tra due metalli come mostrato in figura.
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