Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Reactive Ion Etching (RIE): differenze tra le versioni
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Nuova pagina: La tecnica del '''RIE''' (Reactive Ion Etching) si basa sulla combinazione dell'etch chimico e dell'etch fisico. Il bombardamento ionico innalza o promuove la reazione tra le specie a… |
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Le caratteristiche presentate sono:
*Presenza costante di una componente anisotropica tipicamente minimizzata dalla passivazione delle pareti
*Sputtering chimico-fisico
*Maggiore selettività rispetto ad un etch fisico
*Alta direzionalità
*Pressioni medio-basse
*Tipicamente single wafer
*Elevato etch rate
*Reazioni di ioni
*Sensibilità al danneggiamento elettrico dei layer da etchare o degli stopping layer
*Utilizzando fenomeni di deposizione e assorbimento si può aumentare il controllo dell'etch orizzontale nel Ion Enhanced Etch
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