Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Dry Etching: differenze tra le versioni
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Tutte queste sfruttano reattori ad alta densità di plasma(HDP) e basse pressioni. Inoltre esse consentono di controllare la potenza dell'elettrodo sul quale poggia il wafer indipendentemente dalla sorgente, ottenendo il disaccoppiamento dell'energia degli ioni (tensione applicata al wafer) dal flusso di ioni(densità di plasma controllata dal generatore sorgente).
I vantaggi della tecnica HDP sono un maggiore controllo sulle dimensioni critiche (CD), un più elevato etch rate ed una migliore selettività dell'etch.
===Diversi tipi di Etch===
Esistono due diversi tipi di Etch : '''Chimico''' e '''Fisico'''.
==Etch Chimico==
Nella tipologia di ''etch chimico'' le specie neutre altamente reattive(radicali) prodotte nel plasma interagiscono con la superficie del materiale e si combinano attraverso delle reazioni alle specie che costituiscono il substrato formando prodotti volatili.
L'etch chimico in presenza di maschera ha le seguenti caratteristiche:
*Attacco Isotropico
*Reazione chimica pura
*Alta selettività
*Elevato etch rate
*Basso danneggiamento del materiale da etchare
==Etch Fisico==
Nell'incisione con ''attacco fisico'' gli ioni positivi bombardano la superficie del materiale ad alta velocità e vi trasferiscono energia meccanica rimuovendo il materiale del substrato.
L'etch fisico in presenza di maschera ha le seguenti caratteristiche:
*Attacco Anisotropico
*Puramente fisico
*Nei fatti uno sputtering (sputter etch)
*Scarsamente selettivo
*Alta direzionalità
*Etch rate bassi
*Può indurre danneggiamento elettrico dei layer da etchare o degli stopping layer
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