Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Diffusione: differenze tra le versioni
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{{DROGAGGIO PER DIFFUSIONE}}
Il drogaggio per diffusione è basato sulla deposizione di atomi droganti sulla superficie del materiale da drogare. In seguito è applicato un processo di annealing del wafer in modo tale da agevolare la diffusione delle particelle all'interno del materiale da drogare.
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Il processo di diffusione è descrivile secondo le due leggi di fick: <math>F=-D*dC/dx</math> <math>dC/dt=D*d2C/dx2</math>
nella prima si descrive il profilo di concentrazione degli ioni droganti in fuzione della distanza dal zona in cui è avvenuta l'iniezione. Il flusso degli ioni si muove in direzione delle zone meno drogate.
La seconda è una legge di continuità che lega la concentrazione spaziale con il tempo.
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