Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Wet etch: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Nessun oggetto della modifica
mNessun oggetto della modifica
Riga 1:
{{Micro e nanotecnologia}}
Il wet etch viene usato quando si vogliono rimuovere strati di materiale in modo isotropo ( uguale in ogni direzione ). In presenza di una maschera di resist, il materiale scoperto verrà eliminato, ma contemporaneamente,anche parte del materiale ricoperto dalla maschera verrà corroso lateralmente. Gli utilizzi del wet etch sono numerosi; può essere utilizzato per rimuovere ossido sacrificale o ossido nativo, oppure per eliminare contaminazioni metalliche superficiali. Gli attacchi di tipo wet etch precedono sempre i trattamenti di crescita termica in modo da avere un substrato di silicio il più possibile pulito prima della crescita. Nei processi wet, gli attacchi chimici (realizzati utilizzando soluzioni acide) vanno eseguiti sotto cappa aspirante ed i prodotti di reazione dovranno essere solubili in modo da essere facilmente eliminati.
 
I processi di Wet Etch sono quindi isotropici, ovvero la velocità di attacco è la stessa sia in direzione verticale che in direzione orizzontale.
Il meccanismo secondo il quale avviene il '''wet etch''' è il seguente: si hanno dei reagenti in soluzione che si trasferiscono sulla superficie del wafer per diffusione, avvengono poi le reazioni superficiali.
 
È possibile definire un ''Etch Rate'' come la quantità di materiale rimosso nell'unità di tempo; per ottimizzare il processo si cerca di raggiungere un etch rate il più possibile uniforme.
Come già accennato la principale caratteristica degli attacchi wet è l'isotropia, la velocità di rimozione (rate di rimozione) verticale è uguale a quella laterale. Spesso accade però, che il rate di rimozione laterale sia leggermente maggiore rispetto a quello verticale, questo perchè, mentre verticalmente l'etch si ferma quando incontra il substrato di silicio, lateralmente la quantità di materiale che può essere attaccata chimicamente è maggiore.
 
Un altro fattore importante per il wet etch è la ''selettività'': il processo wet deve essere in grado di attaccare solo un particolare film senza corrodere nè il substrato nè le maschere di photoresist.
 
Si vanno ora ad analizzare i processi di etch di diversi materiali utilizzati nella realizzazione dei dispositivi. Verrano prese in considerazione le diverse soluzioni acide utilizzate e le reazioni chimiche coinvolte.