* '''Wet Etch''': la rimozione avviene per via chimica. Il materiale viene attaccato chimicamente ed in seguito, disciolto in soluzione
* '''Dry Etch''': la rimozione viene effettuata tramite plasma
Il wet etch viene usato quando si vogliono rimuovere strati di materiale in modo isotropo ( uguale in ogni direzione ). Se è presente una maschera di resist, il materiale scoperto verrà eliminato, ma anche parte del materiale ricoperto dalla maschera verrà corroso lateralmente. Gli utilizzi del wet etch sono diversi, può essere utilizzato per rimuovere ossido sacrificale o ossido nativo, oppure per eliminare contaminazioni metalliche superficiali. Gli attacchi di tipo wet etch precedono sempre i trattamenti di crescita termica in modo da avere un substrato di silicio il più possibile pulito prima della crescita. Nei processi wet vengono utilizzate delle soluzioni acide, gli attacchi, quindi, andranno eseguiti sotto cappa aspirante ed i prodotti di reazione dovranno essere solubili in modo da essere facilmente eliminati.
I processi di Wet Etch sono quindi isotropici, ovvero la velocità di attacco è la stessa sia in direzione verticale che in direzione orizzontale. Il dry etch è invece un attacco anisotropico, presenta una maggiore velocità di attacco in verticale piuttosto che in orizzontale ( uno strato coperto da maschera non verrà rimosso).
