Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Dry Etching: differenze tra le versioni

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Il '''dry etching''' è sinonimo di attacco chimico assistito da plasma, un'espressione che denota diverse tecniche in cui si usano plasmi sottoforma di scariche a basse pressioni. L'alta fedeltà di trasferimento del resist pattern, che queste tecniche permettono, fu messa in luce per la prima volta negli anni settanta, quando si diffuse l'uso del nitruro di silicio come materiale isolante nella fabbricazione dei circuiti integrati. A quei tempi veniva usato industrialmente solo il wet etching, ma non si riusciva a trovare una soluzione chimica in grado di attaccare in maniera selettiva il nitruro. Il problema venne risolto ricorrendo appunto al dry etching, che diede in seguito prova della sua validità in quasi tutti i processi di attacco. Si notò soprattutto il forte scarto tra la velocità di attacco verticale e quella laterale, che tale tecnica offriva, permettendo attacchi fortemente anisotropi. La caratteristica di elevata anisotropia è una delle condizioni necessarie, anche se non sufficiente, per realizzare geometrie con alta risoluzione e alta fedeltà rispettoa alle maschere.
 
'''''===Il plasma nel dry etching'''''===
 
'''''Il plasma nel dry etching'''''
 
La tecnologia dry etching si avvale del plasma per generare specie chimicamente reattive, a partire da gas molecolari relativamente inerti. Tali specie reagendo con i materiali solidi formano dei composti volatili, che vengono successivamente rimossi dai sistemi di pompaggio che sono componenti essenziali delle macchine utilizzate. Possiamo quindi dire che in una macchina per dry etching, avvengono essenzialmente due tipi di reazioni chimiche: