Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni
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Il TMAH inoltre viene utilizzato per fare '''recessi''' nel polisilicio. Esso attacca molto velocemente il poly e molto più lentamente l' ossido di silicio. Quando si vuole realizzare un condensatore, per esempio, si deve prima fare lo scavo e poi si procede nella realizzazione delle armature e nella deposizione del dielettrco. Le armature si realizzano in polisilicio ma inizialmente si mette un combopoly che è molto granuloso ed è ottenuto dalla combinazione di più polisilici. Questo combopoly riesce a far aumentare la capacità del condensatore perchè aumenta la superficie delle armature. Una volta deposto il combopoly, si elimina quello che esce dallo scavo (perchè il condensatore deve essere realizzato all' interno); si va poi a riempire lo spazio tra le due armature fatte di combopoly o poly, con il resist. A questo punto si fa un attacco con TMAH che attacca il poly rimasto sopra quasi fuori dallo scavo (infatti il TMAH attacca solo il poly e non il resist). In questo modo le armature rimangono molto bene all' interno dello scavo andando quindi ad evitare lo short tra due condensatori vicini. Questo attacco di TMAH è detto recessione di polisilicio. Si va poi a rimuovere il resist, si mette uno strato di dielettrico e si realizza una seconda armatura in polisilicio. Il condensatore poggierà poi su una plug di polisilicio.
== Dry etching ==
Il dry etching è sinonimo di attacco chimico assistito da plasma, un'espressione che denota diverse tecniche in cui si usano plasmi sottoforma di scariche a basse pressioni. L'alta fedeltà di trasferimento del resist pattern, che queste tecniche permettono, fu messa in luce per la prima volta negli anni settanta, quando si diffuse l'uso del nitruro di silicio come materiale isolante nella fabbricazione dei circuiti integrati. A quei tempi veniva usato industrialmente solo il wet etching, ma non si riusciva a trovare una soluzione chimica in grado di attaccare in maniera selettiva il nitruro. Il problema venne risolto ricorrendo appunto al dry etching, che diede in seguito prova della sua validità in quasi tutti i processi di attacco. Si notò soprattutto il forte scarto tra la velocità di attacco verticale e quella laterale, che tale tecnica offriva, permettendo attacchi fortemente anisotropi. La caratteristica di elevata anisotropia è una delle condizioni necessarie, anche se non sufficiente, per realizzare geometrie con alta risoluzione e alta fedeltà rispettoa alle maschere.
'''''Il plasma nel dry etching'''''
La tecnologia dry etching si avvale del plasma per generare specie chimicamente reattive, a partire da gas molecolari relativamente inerti. Tali specie reagendo con i materiali solidi formano dei composti volatili, che vengono successivamente rimossi dai sistemi di pompaggio che sono componenti essenziali delle macchine utilizzate. Possiamo quindi dire che in una macchina per dry etching, avvengono essenzialmente due tipi di reazioni chimiche:
* reazioni chimico-fisiche in fase gassosa;
* reazioni chimico superficiali.
Le prime sono dovute alle collisioni tra fli elettroni e le molecole che formano il plasma, le quali danno luogo ad una grande varietà di fenomeni, ovvero:
* eccitazione;
* ionizzazione;
* dissociazione;
* ricombinazione;
La ionizzaione e la dissociazione contribuiscono alla formazione degli ioni e delle molecole reattive, entrambi essenziali per l'erosione del film di materiale su cui si vogliono creare le geometrie dei dispositivi elettronici. Quando si parla di specie chimiche reattive, non ci si riferisce soltanto alle molecole che possono reagire col film da asportare formando composti volatili (sebbene sia questo il meccanismo fondamentale che rende possibile l'erosione), ma anche a radicali liberi che possono agire come precursori di processi di polimerizzazione.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Etching]]
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