Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni
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=== Etching del polisilicio ===
Il poly si può etchare in due modi:
* '''TMAH''' sta per IDROSSIDO DI TETRAMETILAMMONIO:
:<math>\mathrm{[N(CH_3)_4OH]}\;</math> che è una base debole che viene utilizzata per l' etch di polisilicio. La reazione di dissoluzione del silicio è la seguente:
:<math>\mathrm{Si} + \mathrm{6OH^-} \longrightarrow \mathrm{SiO_3^2}+ \mathrm{3H_2O} + \mathrm{4e^-}\;</math>
L' etch rate è maggiore rispetto all' etch di silicio per la presenza dei bordi di grano.
*'''POLYTECH''' che è una miscela costituita da <math>\mathrm{HNO_3}\;</math>, <math>\mathrm{HF}\;</math>, acido acetico e <math>\mathrm{H_2O}\;</math>
L' acido nitrico ossida il silicio così l' HF lo può etchare. Siccome la reazione è troppo violenta ci si mette anche l' acido acetico che la stabilizza.
Il TMAH inoltre viene utilizzato per fare '''recessi''' nel polisilicio. Esso attacca molto velocemente il poly e molto più lentamente l' ossido di silicio. Quando si vuole realizzare un condensatore, per esempio, si deve prima fare lo scavo e poi si procede nella realizzazione delle armature e nella deposizione del dielettrco. Le armature si realizzano in polisilicio ma inizialmente si mette un combopoly che è molto granuloso ed è ottenuto dalla combinazione di più polisilici. Questo combopoly riesce a far aumentare la capacità del condensatore perchè aumenta la superficie delle armature. Una volta deposto il combopoly, si elimina quello che esce dallo scavo (perchè il condensatore deve essere realizzato all' interno); si va poi a riempire lo spazio tra le due armature fatte di combopoly o poly, con il resist. A questo punto si fa un attacco con TMAH che attacca il poly rimasto sopra quasi fuori dallo scavo (infatti il TMAH attacca solo il poly e non il resist). In questo modo le armature rimangono molto bene all' interno dello scavo andando quindi ad evitare lo short tra due condensatori vicini. Questo attacco di TMAH è detto recessione di polisilicio. Si va poi a rimuovere il resist, si mette uno strato di dielettrico e si realizza una seconda armatura in polisilicio. Il condensatore poggierà poi su una plug di polisilicio.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Etching]]
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