Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni
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'''ETCHING DEL NITRURO DI SILICIO'''
Il nitruro di silicio può essere rimosso utilizzando una soluzione di acido fluoridrico secondo la reazione:
:<math>\mathrm{SiO_3N_4} + \mathrm{18HF} \longrightarrow \mathrm{H_2SiF_6}+ \mathrm{2(NH_4)_2SiF_6}\;</math>
questo tipo di etch in realtà causa dei problemi infatti, quasi sempre, si ha una situazione del tipo:
[[File:Strati_di_nitruro_ossido_e_silicio.jpg|300px]]
l'acido fluoridrico corrode il nitruro, ma anche l'assido di silicio sottostante. La presenza dell'ossido è necessaria in quanto il nitruro di silicio ed il silicio presentano dei coefficienti di dilatazione termica molto diversi. Durante i processi tecnologici, il wafer viene spesso sottoposto ad elevate temperature, il contatto diretto tra nitruro e silicio provocherebbe dei continui stress meccanici che vengono invece assorbiti dall'ossido.
Per quanto appena detto la reazione usata più di frequente per l'etch del nitruro di silicio è la seguente:
:<math>\mathrm{4H_3PO_4} + \mathrm{3Si_3N_4}+ \mathrm{27H_2O}\longrightarrow \mathrm{4(NH_4)_3PO_4}+ \mathrm{9H_2SiO_3}\;</math>
l'<math>\mathrm{H_3PO_4}\;</math> è molto efficace nel rimuovere il nitruro mentre non corrode l'ossido di silicio sottostante.
'''ETCHING DEL POLISILICIO'''
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