Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni
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'''ETCHING DELL'OSSIDO DI SILICIO'''
Come già visto, il secondo step dell'etching del silicio, consiste proprio nella rimozione dell'ossido di silicio formato nel primo step. E' naturale, quindi, pensare di utilizzare una soluzione di acido fluoridrico quando è necessario rimuovere dell'ossido di silicio. La reazione da considerare è proprio quella vista in precedenza:
:<math>\mathrm{SiO_2} + \mathrm{6HF} \longrightarrow \mathrm{H_2SiF_6}+ \mathrm{2H_2O}\;</math>
A volte alla soluzione di acido fluoridrico viene aggiunto del fluoruro di ammonio (<math>\mathrm{NH_4F}\;</math>) che, essendo una base, modifica il PH della soluzione impiegata. Si parla di ''soluzione tampone'' (buffer) ed il processo è detto BOE (Buffered Oxide Etch), la presenza della base porta ad un aumento dell'etch rate.
L'etch rate dipende, come nel caso dell'etch del silicio, dalle concentrazioni percentuali di acido fluoridrico e del fluoruro di ammonio presenti in soluzione, inoltre, aumenta all'aumentare della temperatura.
'''ETCHING DEL NITRURO DI SILICIO'''
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