Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni
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[[Image:03_Formazione_del_Plasma.png|left|thumb|200px|Formazione del Plasma]]
* Si immette nella camera l’Argon che è un gas inerte. Fornendo una differenza di potenziale, gli “elettroni liberi” verranno accelerati lontano dalla carica negativa del catodo. Essi incontreranno nel loro percorso gli atomi di Argon e dall’urto riusciranno a ionizzarli, estraendo un elettrone che urterà un altro atomo di Argon e, per un processo a catena, si creerà il [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma|plasma]] . La [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma#Interazioni possibili tra ione e atomo|diseccitazione]] degli atomi che non sono stati ionizzati, ma eccitati, determina la luminosità della scarica.
* Gli ioni Ar+ caricati positivamente vengono accelerati verso il catodo negativo (dove c’è il target) formando una corrente di plasma con una quantità di moto sufficiente da estrarre atomi dal materiale bersaglio (atomi non ionizzati, frammenti di molecole, ecc …) che si diffonderà in tutta la camera e, quindi, anche sul substrato.
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