Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

[[File:lingotto.jpg|left|300px]] Per realizzare il wafer si utilizza in generale la tecnica detta di Czochralski (CZ). Nella tecnica Czochralsky (CZ) la fase liquida, contenuta in un crogiolo di grafite riscaldato per induzione RF ad una temperatura di qualche grado superiore alla temperatura di fusione del silicio, è costituita da silicio preventivamente raffinato e drogato con l'aggiunta di elementi donori od accettori. Quindi le impurità sono aggiunte alla fusione in quantità controllata, ottenendo un cristallo con determinate proprietà.Si mette poi un cristallo che va a diretto contatto con la superficie fusa opportunamente orientato (in genere con la direzione <111> oppure <100> verticale) e tale cristallo viene fatto lentamente ruotare in modo da favorirne la crescita laterale. Quando si è raggiunta la dimensione voluta, il cristallo viene tirato verso l'alto con velocità dell'ordine di qualche µm/sec, dando così inizio all'accrescimento della barra monocristallina. Dunque si immerge il seme cristallino all' interno della massa fusa e piano piano questo seme viene estratto dalla massa fusa. L' interfaccia solido-liquido piano piano si raffredda e quindi il silicio cristallizza in modo veloce. Il prodotto finale, detto lingotto, ha la forma di un cilindroche finisce a punta. Tale cilindro viene poi tagliato con lame di diamante. Ogni fetta ottenuta sarà lappata con polvere di alluminio (Al2O3), trattata con attacco chimico per rimuovere i danni e poi di nuovo lappata con particelle sferiche di SiO2 in NaOH.