Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

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[[Image:08_Schema_Sputtering.png|left|thumb|200px|Schema dello Sputtering]]
 
Bisogna però considerare che N è un numero medio, perché non tutti gli ioni che impattano fanno uscire un atomo dal target. Solo gli atomi degli strati superiori riescono a guadagnare energia sufficiente per essere emessi. A parte lo sputtering, lo ione incidente causa lo spostamento degli atomi ed alcuni ioni vengono addirittura impiantati nel bersaglio. Questi ioni impiantati possono venire in seguito emessi dal campione come atomi <math>Ar\ </math> sputterati e addirittura andare a finire sul substrato. Alcuni ioni addirittura vengono riflessi dal campione senza far avvenire lo sputtering (processo alla base della Spettroscopia ad impatto da Ioni) ed altri ioni <math>Ar^+\ </math>,invece, nell’urto possono acquistare un elettrone e ricostituire un atomo di <math>Ar\ </math> neutro. Anche elettroni possono essere espulsi dal target.Solo una piccola parte dell’energia dello ione è utilizzata per lo sputtering, la rimanente viene dissipata nello spostamento degli atomi all’interno del bersaglio, con il risultato di surriscaldarlo. Per questo motivo i target vengono raffreddati durante il processo. Se il sistema di raffreddamento non è sufficiente, l’aumento di temperatura potrebbe causare l'evaporazione il bersaglio!
 
=== Reactive Ion Sputtering ===