Wikibooks

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili: differenze tra le versioni

Naviga nella cronologia in modo interattivo
← Differenza precedenteDifferenza successiva →
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
VisualeWikitesto
LucaDl (discussione | contributi)
58 modifiche
LucaDl (discussione | contributi)
58 modifiche
Riga 36:
=== Damascene ===
Il rame non forma composti volatili ed è quindi difficile da asportare.
Non posso usare il metodo nellodell'alluminio illustrato in figura1.[[File:sottrat.jpg|250px|thumb|left|Fig.1:Deposizione alluminio]]Questo metodo viene effettuato asportando l'alluminio , successivamente viene posto l'ossido e infine viene asportato il materiale in eccesso.
 
UnIl metodo che invece andiamo ora a descrivere prende il nome di "Damascene" fa infatti l'esatto contrario.
Inizialmente mette l'ossido.<br>In seguito viene effettuato un processo di Etch. Infine, viene depositato il rame e poi viene meccanicamente eliminato la parte in eccesso.(fig.2) [[File:addiz.jpg|300px|thumb|right|Fig.2 Damascene]]
Iterando il procedimento per più strati si ha il Dual Damascene.
Estratto da "https://it.wikibooks.org/wiki/Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili"