Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili: differenze tra le versioni

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=== Elettroplating ===
[[File:elettrop.jpg|300px|rightthumb|left|Schema dell elettroplating]]
 
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film sottili]]
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La deposizione del rame avviene in due fasi:
* deposizione di un film sottile(PVD)
* deposizione con la tecnica dell'elettroplating.
La tecnica dell' elettroplating non è altro che un processo che avviene in una cella elettrolitica.
Per prima cosa i atomi di Cu rappresentano l'anodo, mentre il wafer attraverso opportuni sostegni è collegato all'anodo.
[[File:elettrop.jpg|300px|right|Schema dell elettroplating]]
Un metallo tende a liberarsi degli elettroni che sono liberi di muoversi attraverso tutto il metallo.
Questo blocco di rame si trova a contatto con una soluzione di rame(CuSO4) e i suoi ioni tendono ad entrare in soluzione.
avremo che la soluzione sarà elettricamente positiva e il metallo elettricamente negativo.Sotto l'azione di una differenza di potenziale questi ioni sono portati ad andare dall'anodo al catodo. Arrivati al catodo gli ioni si ricombinano e si depositano sul wafer secondo la relazione: <math>Cu^+2 +2e^-1</math>--> <math>Cu</math>
 
 
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film sottili]]
{{Avanzamento|25%|14 marzo 2009}}