Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili: differenze tra le versioni
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E' ben noto tra due fili metallici, posti ad una certa distanza, avvengono fenomeni capacitivi più o meno intensi a seconda del dieletrico che viene interposto tra i 2.
Questo fenomeno è schematizzabile come un circuito RC che introduce un ritardo che è dato dal prodotto RC.
Dobbiamo quindi ridurre la resistività della linea e ridurre il più possible il fenomeno dell' elettromigrazione.
Poichè la resistività è più bassa e l'energia di attivazione(che è direttamente proporzionale al tempo medio in cui si verifica all'elettromigrazione)è più alta(e a noi fa comodo perchè più questo tempo aumenta meno si verifica l'elettromigrazione) nel rame rispetto all'alluminio allora il primo è un candidato per l'utilizzo.
Ci sono anche alcuni svantaggi:
* Minor propenzione alla passivazione,esponibile a fenomeni di corrosione.
Questo avviene perchè l'alluminio ha un più basso valore del potenziale redox, mentre nel rame è più alto e quindi non avviene la passivazione.Questo potenziale non è abbastanza alto e quindi è soggetto a corrosione.
* elevata diffusività nel silicio e suoi ossidi.
Questo complica un po il processo, infatti per evitare che il rame si diffonda nel silicio si aplica una barriera attorno al rame di Ta.
*I suoi Grani cambiano nel tempo.
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