Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

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Questo metodo viene utilizzato quando non si vuole depositare solo un metallo ma una molecola.
Un materiale che si deposita con questo metodo è il TiN.<br>Oltre all'Argon si introduce una specie chimica in fase gassosa ,in questo caso l' azoto molecolare.Il target è Il Ti.
<br>Oltre a depositarsi titanio sulla superficie del wafer si vanno a legare anche gli atomi di azoto.
Questo avviene fino ad una certa concentrazione del gas. Quando l'azoto si presenta con una concentrazione
eccessiva esso si va a legare a anche con il target e questo non fa altro che rallentare il processo di deposizione sul wafer.