Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche: differenze tra le versioni

Verranno descritte quindi le varie tecniche litografiche attualmente utilizzate.

 

 

 

L'esposizione del photoresist alla luce può avvenire tramite due metodi: stampa per trasparenza, stampa per esposizione.

Nella prima viene usata una lente tra la sorgente di luce e la maschera, tra la maschera è il photoresist vi è contatto diretto ( trasparenza a contatto) oppure è senza contatto

 

La stampa a trasparenza (senza contatto) fornisce una minore risoluzione a causa del fenomeno della diffrazione ( le onde provenienti dalle regioni trasparenti della maschera tendono ad interferirsi prima di arrivare alla regione fotosensibile). Al contrario quella a contatto fornisce una migliore risoluzione, ma è maggiormente esposta alla contaminazione delle particelle che potrebbero cambiare il disegno circuitale. Ciò non vuol dire che le particelle non influiscano sulla tecnica senza contatto, infatti, se le dimensioni degli agenti contaminanti sono dell'ordine di grandezza del gap che separa la maschera dal phoresist vi è un cambiamento del disegno.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

La distanza di fuoco, indicata come DOF, è data da

Il resist positivo è quel tipo di resist che esposto alla luce diventa solubile, di conseguenza la traccia del circuito è indicata dalle zone scure della maschera

Il resist negativo presenta caratteristiche opposte, di conseguenza la traccia del circuto è indicata dalle zone chiare della maschera.

 

 

 

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