Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
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I processi di '''deposizione di ''film'''''
*deposizione di ''biossido di silicio''
*deposizione di ''nitruro di silicio''
*deposizione di ''polisilicio amorfo o cristallino''
I processi di deposizione di film sottili vengono effettuati a Diffusione in
In questo caso le fornaci, oltre a tutti gli apparati per la movimentazione interna dei wafer di silicio, il controllo della temperatura in camera, dei flussi di gas, hanno bisongno anche della pressione in camera di processo. Le pressioni tipiche sono nel range 250-1500 mTorr. Le temperature sono comprese tra i 300°C e i 900°C.
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