Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

In seguito il wafer viene sottoposto ad un trattamento termico ad una temperatura superiore ai precedenti trattamenti tra 120 e 180 °C, per qualche decina di minuti. Questo trattamento rende molto più resistente il resist per i processi successivi, ma non è necessario in alcuni processi.

 

 

La possibilità di proiettare una immagine precisa di un piccolo particolare è limitata dalla lunghezza d'onda della luce usata e dalla capacità del sistema di lenti che riducono l'immagine della fotomaschera di avere pochi problemi di diffrazione. Attualmente la fotolitografia usa DUV (deep ultraviolet) in italiano (UV vicino)con lunghezze d'onda tra 248 nm a 193 nm: i particolari più piccoli sono dell'ordine di 50 nm.