Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

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riassunte le principali.
==Passi del processo di Fotolitografia==
[[File:Step_FotolitografiaStep Fotolitografia.jpg|700px]]
 
1) La superficie della fetta di silicio viene riscaldata in maniera che il vapor acqueo che e’ presente sulla superficie possa evaporare.
 
2)Una goccia di resist viene fatta cadere sulla fetta. Mettendo la fetta in rotazione se ne ottiene la totale copertura.
 
3)La fetta e’ posta su un piatto caldo per far evaporare i solventi.
 
4)Si fa l' esposizione con il reticolo precedentemente disegnato.
 
5)Si effettua un altro riscaldamento per migliorare l' adesione del resist.
 
6)Lo sviluppo del resist si ottiene andando a spruzzare sulla fetta la soluzione per ottenere lo sviluppo.
 
7)Si effettuano le misure per verificare che tuttoil processo fotolitografico sia stato fatto in modo ottimo.
 
Se tutto è andato bene la fetta può essere inviata ad un altro processo che potrebbe essere quello di impiantazione ionica o etch; se invece ci sono dei problemi la fetta deve essere rilavorata reiniziando il processo.
=== Pulizia ===
Nel caso in cui contaminanti siano presenti sulla superfice del wafer essi vengono preventimante rimossi mediante un trattamento chimico in fase liquida. L'immersione in una soluzione al 50% di [[w:Perossido_di_idrogeno|acqua ossigenata]] (ad alta concentrazione) e acido solforico è in genere la procedura più usata per rimuovere sia tracce organiche che normali contaminanti.