Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni

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==Fornaci per deposizione di film a bassa pressione==
 
I processi di deposizione di film sottili vengono effettualti a Diffusione in macchinari molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione.
 
;''Fornace a pareti riscaldate'' (LPCVD)
 
:C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. SiIn questo caso si ha un'il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del altafilm capacitàdeposto. maTuttavia il processo è lento.
 
 
 
 
 
 
 
[[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|850px]]
 
;''Reattore per deposizione chimica assistita da plasma'' (PECVD)
:InI questoreattori casoper sideposizione chimica assistita da plasma (PECVD) hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perchè possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche montate in serie (dry pump e booster pump), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. Questi reattori sono costituiti hada una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400°C. Si ha una bassa temperatura di processo ma la capacità è scarsa.
 
==Polisilicio e drogaggio==