Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni
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[[Image:Schema--Sputtering.png|left|thumb|400px|Schema semplificato di un sistema di sputtering]]
La figura rappresenta in maniera molto semplificata uno '''sputtering''' a rf o dc. Tale tecnica di deposizione è molto usata per tutti gli stati di metallizzazione (W, Al, Ti, Cu) almeno fino alla scala di 0.35 µm di spessore. Gran parte dei problemi sono comuni ad altre tecniche più in uso negli ultimi anni. Tipicamente il ''target'' (il piatto del materiale da essere depositato) è connesso al catodo. Il supporto del substrato (spesso un wafer di silicio) è di fronte al catodo. Il supporto può essere a massa o connesso per alcuni processi ad un potenziale diverso. Il gas è introdotto in maniera da fornire il mezzo in cui la scarica a bagliore (glow discharge) può avvenire. Il più comune gas in cui viene fatta la scarica è l’Argon. Le pressioni dei gas vanno da frazioni di Pa a centinaia di Pa. E' una tecnica di deposizione molto comune, sia in quanto molte delle problematiche sono comuni alle varie tecniche di deposizione assistite da plasma.
==Sistemi e metodi di sputtering==
La tecnica di deposizione di film sottili mediante
Essa consiste essenzialmente nel fornire alta tensione al catodo con il materiale da depositare posto in una camera sotto vuoto.
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I magnetron esistono in forme rotonde o rettangolari. Poiché il sconfinamento magnetico crea un area preferenziale di erosione, dopo un certo tempo il target del materiale utilizzato deve essere sostituito. Lo sviluppo di catodi cilindrici rotanti riduce questo fenomeno allungando il tempo di utilizzo del target.[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film sottili]]
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