Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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Per quanto riguarda ILD esso viene posto tra due metalli come mostrato in figura.
[[File:stratoILD.JPG|left|
L' Al fonde circa a 530° mentre l' ILD viene posto a circa 600°. Per deporre l' ILD non si deve naturalmente fondere l' Al e la tecnica di deposizione di questo ossido è detta PECVD. Questa tecnica sfrutta l' energia fornita dalla scarica di plasma per innescare le reazioni.
Se abbiamo due aree attive molto vicine con la necessità che le due aree siano elettricamente isolate allora deve essere effettuato uno scavo attorno alle aree attive in modo da poterle isolare. Tramite il processo di HDP andiamo a riempire lo scavo (trench) con un ossido di alta qualità che ci fornisce l' isolamento elettrico.
Con un altro processo poi si planarizza l' ossido precedentemente deposto. Lo spazio tra due aree attive è molto difficile da riempire e se utilizzo ad esempio il BPSG potrebbero crearsi dei buchi (voids).
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]]
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