Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Riga 80:
Il drogaggio a base di boro e fosforo del BPSG ne abbassa la temperatura di fusione. Questo ossido quindi, risulterà particolarmente adatto per fluire nelle cavità di quelle zone che presentano un'alta densità di dispositivi. Infatti per quelle zone che presentano un' alta densità di dispositivi il BPSG viene fatto refluire ad alta temperatura in modo da riempire bene gli spazi interstiziali. L'entità del drogaggio è molto importante, infatti, un drogaggio basso potrebbe portare alla formazione di vuoti (void, buchi) alli'interno dell'ossido, al contrario, un drogaggio eccessivo potrebbe creare problemi nella fase di etch.
Per quanto riguarda ILD esso viene posto tra due metalli come mostrato in figura.
[[File:stratoILD.JPG|left|500px]]
L' Al fonde circa a 530° mentre l' ILD viene posto a circa 600°. Per deporre l' ILD non si deve naturalmente fondere l' Al e la tecnica di deposizione di questo ossido è detta PECVD. Questa tecnica sfrutta l' energia fornita dalla scarica di plasma per innescare le reazioni.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]]
{{Avanzamento|75%|14 marzo 2009}}
| |||