Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Ramac (discussione | contributi)
m fix
Riga 79:
Si tratta sempre di ossidi di silicio che però svolgono ruoli diversi.
 
Il drogaggio a base di boro e fosforo del BPSG ne abbassa la temperatura di fusione. Questo ossido quindi, risulterà particolarmente adatto per fluire nelle cavità di quelle zone che presentano un'alta densità di dispositivi. Infatti per quelle zone che presentano un' alta densità di dispositivi il BPSG viene fatto refluire ad alta temperatura in modo da riempire bene gli spazi interstiziali. L'entità del drogaggio è molto importante, infatti, un drogaggio basso potrebbe portare alla formazione di vuoti (void, buchi) alli'interno dell'ossido, al contrario, un drogaggio eccessivo potrebbe creare problemi nella fase di etch.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]]
{{Avanzamento|75%|14 marzo 2009}}