Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Introduzione alla microtecnologia/L'ambiente: la camera pulita: differenze tra le versioni

I dispositivi microfabbricati usano in grandissima parte come substrato il silicio di grado elettronico. Per ottenerlo, si porta della silice (un tipo di sabbia fatta di SiO2) al punto di fusione (1400 °C) in particolari fornaci insieme a dei reagenti in modo da formare silicio metallurgico puro al 98%. Una fase successiva prevede l'uso di acido cloridrico HCl (in reattori a 300°C) per ottenere dal silicio il triclorosilano SiHCl3. Si sfrutta la caratteristica del triclorosilano di essere liquido a temperatura ambiente per eliminare le impurità presenti nel silicio. Successivamente il triclorosilano viene trattato con idrogeno in speciali reattori per ottenere il silicio di grado elettronico che a questo stadio è policristallino (concentrazione di impurità pari a una parte per miliardo); In seguito il silicio ottenuto viene fuso, un seme di cristallo di Si è sospeso nel bagno di silicio fuso e viene fatto ruotare sul suo asse, mentre contemporaneamente lo si estrae verso l’alto (metodo Czochralski-CZ). In questo modo si estrae un lingotto che viene poi tagliato a fette sottili(wafer), in seguito planarizzate e lucidate (polishing). Per perfezionare il procedimento, si puo'può usare il metodo FZ (floating zone): una bobina a radiofrequenza viene fatta scorrere lungo l'asse del lingotto, producendo un riscaldamento locale che favorisce l'eliminazione delle imperfezioni.

[[Image:Wafer_flats_convention.PNG|frame|300px|Significato convenzionale dei flat (area rimossa dal wafer, qui segnata in rosso). A seconda del numero e della posizione dei flat si identifica il tipo di drogaggio del Si (n o p) e [[w:Cristallografia|l'orientazione cristallografica]]. ]]