Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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Gli ossidi che vengono deposti mediante tecnica CVD sono, sostanzialmente, di tre tipi:
Si tratta sempre di ossidi di silicio che però svolgono ruoli diversi.▼
▲- ILD (ossido intermetallico)
▲- HDP (ossido deposto in alta densità di plasma)
▲Si tratta sempre di ossidi di silicio che però svolgono ruoli diversi.
Il drogaggio a base di boro e fosforo del BPSG ne abbassa la temperatura di fusione. Questo ossido quindi, risulterà particolarmente adatto per fluire nelle cavità di quelle zone che presentano un'alta densità di dispositivi. L'entità del drogaggio è molto importante, infatti, un drogaggio basso potrebbe portare alla formazione di vuoti (void, buchi) alli'interno dell'ossido, al contrario, un drogaggio eccessivo potrebbe creare problemi nella fase di etch.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]]
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