Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Riga 56:
La deposizione del polisilicio avviene per pirolesi del silano a temperature che variano da 520°C a 650°C a bassa pressione.
La struttura del polysilicio è amorfa se depositato al di sotto di 575°C, mentre a temperature superiori a 625°C ha una struttura con dei grani di cristalli disposti a colonna.
| |||