Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni

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- ''Fornace a pareti riscaldate''(LPCVD)
 
C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. Si ha un' alta capacità ma il processo è lento.
[[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|left|850px]]
 
-''Reattore per deposizione chimica assistita da plasma'' (PECVD)
 
In questo caso si ha una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400°C. Si ha una bassa temperatura di processo ma la capacità è scarsa.
 
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film dielettrici]]