Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
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la struttura si trasforma in cristallite e la dimensione dei grani cresce fino ad una media tra 0.5 a 1 μm. Se la temperatura arriva
a 1050°C durante l'ossidazione, i grani raggiungono una dimensione finale che può andare da 1 μm a 3 μm.
==Fornaci per deposizione di film a bassa pressione==
- ''Fornace a pareti riscaldate''(LPCVD)
C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi.
[[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|left|850px]]
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film dielettrici]]
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