Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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==Spessore dell' Ossido==
Sappiamo che gli ossidi cresciuti in ossigeno hanno le proprietà elettriche migliori ma crescere un certo spessore di ossido ad una data temperatura in ossigeno richiede un tempo superiore di quanto non sia necessario in vapor acqueo.
Quindi per una data temperatura e un dato tempo, il film di ossido ottenuto per via umida è più spesso di quello ottenuto per via secca.
'''Caratteristiche dell' Ossido ''Dry'''''
- Bassa velocità di accrescimento
- Alta densità
- Buona struttura stechiometrica
'''Caratteristiche dell' Ossido ''Wet'''''
- Alta velocità di accrescimento
- Bassa densità
- Peggiore struttura stechiometrica
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]]
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