Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
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I processi di '''deposizione di ''film''''' generalmente effettuati nell'area di Diffusione sono i seguenti:
I processi di deposizione di film sottili vengono effettuati a Diffusione in macchinari molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione.▼
▲*Deposizione di ''biossido di silicio''
▲*Deposizione di ''nitruro di silicio''
▲*Deposizione di ''polisilicio amorfo o cristallino''
In questo caso le fornaci, oltre a tutti gli apparati per la movimentazione interna dei wafer di silicio, il controllo della temperatura in camera, dei flussi di gas, hanno bisongno anche della pressione in camera di processo. Le pressioni tipiche sono nel range 250-1500 mTorr. Le temperature sono comprese tra i 300°C e i 900°C.
▲I processi di deposizione di film sottili vengono effettuati a Diffusione in macchinari molto simili
I reattori a pareti riscaldate hanno il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del film deposto. Tuttavia il processo è lento.
I reattori
Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche in serie (''dry pump'' e ''booster pump''), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro.▼
==Deposizione di biossido di silicio==▼
▲Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche in serie (dry pump e booster pump), collegate alla
Gli ''ossidi di silicio'' depositati nell'area di Diffusione sono ossidi non drogati e sono generalmente depositati a partire da una sorgente liquida( Tetraortosilicato di silicio, TEOS) a temperature da 650 a 750°C e a pressioni ridotte.▼
▲=Deposizione di biossido di silicio=
▲a partire da una sorgente liquida( Tetraortosilicato di silicio, TEOS) a temperature da 650 a 750°C e a pressioni ridotte.
*Le deposizioni con TEOS hanno uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film.
*La decomposizione del TEOS avviene ad alta temperatura che quindi ne limita l'utilizzo, impedendone l'uso sull'alluminio.
===Proprietà dell'ossido deposto===
#Relazione stretta tra temperatura di deposizione e la proprietà dei film di biossido di silicio deposti
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#Le buoni doti di ricopertura rendono il TEOS lo strato migliore per ricoprire le strutture del '''MOSFET'''
===Ricopertura a gradini===
Nelle deposizioni di ossido di silicio si osservano due tipi generali di ricoprimento dei gradini:
:reagenti adsorbiti dalla superficie, elevata migrazione superficiale, spessore uniforme indipendente dalla topografia.
:reagenti adsorbiti con bassa migrazione superficiale, tasso di deposizione proporzionale all'angolo di arrivo delle molecole.▼
▲*'''Ricopertura non conforme(da Silano)''':
▲reagenti adsorbiti con bassa migrazione superficiale, tasso di
==Deposizione di
Il Nitruro di Silicio (Si3N4) viene usato per passivare i dispositivi al silicio, in quanto agisce come un'efficace
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*Viene deposto chimicamente, facendo reagire ''diclorosilano'' ed ''ammoniaca'' a temperature da 700-800° C a pressione ridotta.
*La tecnica a bassa pressione ha un'ottima uniformità ed elevata produttività di ''wafers''.
*Lo svantaggio è quello di avere un residuo di reazione che è solido a pressioni e temperature inferiori a quella di processo.
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agenti esterni.
==Deposizione di
La deposizione del polisilicio avviene per pirolesi del silano a temperature che variano da 520°C a 650°C a bassa pressione.
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di 1000°C non c'è ulteriore cambiamento.
La presenza di droganti aumenta il ''grain size''.
===Struttura del polisilicio===
#Struttura ''amorfa''
#struttura ''colonnare''
#Struttura ''cristallina''
Quando il polisilicio è depositato a temperature comprese tra i 600-650°C, si ottiene una struttura a colonna, che comprende grani
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la struttura si trasforma in cristallite e la dimensione dei grani cresce fino ad una media tra 0.5 a 1 μm. Se la temperatura arriva
a 1050°C durante l'ossidazione, i grani raggiungono una dimensione finale che può andare da 1 μm a 3 μm.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film dielettrici]]
{{Avanzamento|50%|14 marzo 2009}}
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