Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
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In questo caso le fornaci, oltre a tutti gli apparati per la movimentazione interna dei wafer di silicio,
il controllo della temperatura in camera, dei flussi di gas, hanno bisongno anche della pressione in camera
di processo. Le pressioni tipiche sono nel range 250-1500 mTorr. Le temperature sono comprese tra i 300°C
e i 900
I reattori a pareti riscaldate hanno il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con
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