Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni

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Nuova pagina: I processi di ''deposizione di film'' generalmente effettuati nell'area di Diffusione sono i seguenti: *Deposizione di biossido di silicio *Deposizione di nitruro di silicio *Deposizi…
 
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=Deposizione di biossido di silicio=
 
Gli ''ossidi di silicio'' depositati nell'area di Diffusione sono ossidi non drogati e sono generalmente depositati
a partire da una sorgente liquida( Tetraortosilicato di silicio, TEOS) a temperature da 650 a 750°C e a pressioni ridotte.
 
*Le deposizioni con TEOS hanno uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film.
*La decomposizione del TEOS avviene ad alta temperatura che quindi ne limita l'utilizzo, impedendone l'uso sull'alluminio.