Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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dove il TEOS è, come già detto, in forma liquida, l'ossido di silicio si prestenta allo stato solido, mentre <math>\mathrm{C_2H_4}\;</math> ed acqua sono allo stato gassoso. Le proprietà elettriche degli ossidi deposti sono peggiori rispetto a quelle degli ossidi accresciuti termicamente, è però utile depositare un ossido quando si ha la necessità di isolare delle aree in cui i dispositivi (ad esempio i transistori MOSFET) sono molto vicini gli uni agli altri (aree ad elevata densità di dispositivi). Infatti gli ossidi ottenuti a partire dal TEOS presentano un'ottima uniformità e riescono a coprire le zone dense seguendo bene il profilo delle cavità.
==FORNACI PER OSSIDAZIONE TERMICA==
La fornace per realizzare l' ossidazione termica è costituita essenzialmente da un tubo di quarzo dove vengono poste le fette di silicio. Tali fette sono caricate su una navicella di quarzo. Il riscaldamento della camera viene fatto tramite una resistenza (Resistance Heater) che porta la temperatura della camera fino ai valori richiesti dalle cinetiche di reazione.
In una estremità del tubo si inseriscono i gas reagenti (O2, H20 ed altri) mentre nell' altra estremità del tubo si inseriscono le fette di silicio e si fanno evaquare, tramite un altro tubo, i gas reflui.
Inoltre nell' estremità del tubo dove vengono inserite le fette, si mantiene un flusso di aria filtrata così si riduce la quantità di particelle presenti nell' aria in modo da minimizzare le contaminazioni delle fette.
[[File:fornaci.jpg]]
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