Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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=== Applicazione del fotoresist===
[[Image:Spinner.jpg|thumb|200px|right|Un esempio di spin coater ]]
Il
[[w:Spin_coating|spin coating]], non esiste una efficace traduzione in italiano. Le velocità angolari tipiche vanno da 1000 giri al minuto fino a 6000 giri al minuto. La durata caratteristica di tale rotazione è dell'ordine del minuto. La diluizione del resist come la velocità angolare influenzano lo spessore del resist il cui spessore può andare da frazioni di [[w:Micron|micron]] a qualche micron.
Aumentare la velocità di rotazione diminisce lo spessore del resist.
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Nel processo di ricopertura mediante spinning, naturalmente uno spessore maggiore di resist si forma sul bordo esterno del wafer, tale spessore viene rimosso dalla geometria della centrifuga o in una fase successiva.
La rimozione del solvente in eccesso viene fatta mantenendo il wafer sopra una piastra riscaldata (pre-bake) a temperatura di circa <math>100\ ^oC</math>, per un tempo di circa 5 minuti. In alcuni casi si preferisce effettuare il processo in un forno in atmosfera di azoto, in questo caso il processo di essiccatura ha una durata maggiore (30 minuti).
=== Esposizione e sviluppo ===
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