Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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Dove, <math>\,k_2</math> è un altro coefficiente adimensionale legato al processo. La profondità di fuoco pone delle restrizioni sullo spessore del photoresist e la profondità della topografia sul wafer. La tecnica di Chemical mechanical polishing descritta nel seguito è spesso usata per spianare la topografia prima di passaggi ad alta risoluzione di litografia.
== Lastre ==
Le maschere o lastre della litografia moderna consistono di una lastra di quarzo fuso (un vetro ricavato da [[w:silice|biossido di silicio]] di elevata purezza). La ragione di usare vetri particolari risiede nel fatto che solo il quarzo di elevata purezza ha un assorbimento trascurabile nelle frequenza dell'ultravioletto. Le lastre vengono ricoperte da uno strato di poche decine di nm di
[[w:Cromo|Cromo]]. Nel passato nella litografia a contatto si sono usati anche degli ossidi, come il biossido di ferro, che essendo trasparente nel visibile ed opaco nell'ultravioletto permette di allineare facilmente le maschere con il substrato.
Il Cromo ha soppiantato tale materiale a causa della sua durezza e resistenza alla corrosione. Le maschere vengono in genere fabbricate applicando sopra il quarzo ricoperto di cromo un resist elettronico e sono esposte mediante litografia a fascio
di elettroni.
Il disegno sulla maschera rappresenta solo un livello nel disegno di un circuito integrato.
[[Categoria:Micro e nanotecnologia|Litografia ottica]]
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